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電(diàn)腦最容易壞的地方在哪?Intel官方答(dá)案來了
發布時間:2020-08-05 13:23:54     發布者:

6月5日,Intel官微又(yòu)來科(kē)普啦。

此次科(kē)普的問題是:電(diàn)腦最容易壞的地方在哪?

官微表示:“硬盤是很(hěn)多(duō)人忽視的點,曾今的機械硬盤雖然夠大,但其内部的活動組件很(hěn)容易在颠簸中(zhōng)損壞,讓電(diàn)腦不斷自建重啓。如今SSD就解決了這個問題。”

官微提到的現象是機械硬盤通電(diàn)時,意外颠簸對其造成的損害。具(jù)體(tǐ)來說,在硬盤工(gōng)作(zuò)時,嚴重的颠簸很(hěn)可(kě)能(néng)會造成磁頭盤片過分(fēn)撞擊,導緻盤片緻命性損毀。

所以一旦電(diàn)腦開機,就不要輕易讓機械硬盤處于運動狀态。

但如果是關機狀态,機械盤磁頭都會停放在盤片最内圈的CSS(Contact Start/Stop,接觸啓/停)區(qū),也叫“着陸區(qū)”,因為(wèi)着陸區(qū)不會用(yòng)來存儲任何數據,所以即使震動也不會對存儲數據的區(qū)域産(chǎn)生直接影響。單純的郵寄攜帶并不會有(yǒu)太大風險。

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